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메모리반도체20

샘씨엔에스 샘씨엔에스, 삼성向 'CIS 프로브카드용 STF' 사용승인 목표 프로브카드 업체와 조립 테스트 완료… 상반기 내 삼성 테스트 완료 앞둬 낸드에 치중된 사업구조 다각화 추진 반도체 검사장비 부품업체 샘씨엔에스가 비메모리 시장 진출에 속도를 낸다. 삼성전자의 CIS 테스트 공정에 활용되는 세라믹 STF(공간변형기)에 대한 사용 승인을 올 상반기 내로 받기 위해, 관련 업체와 퀄 테스트 과정을 거치고 있는 것으로 알려졌다. 11일 업계에 따르면 샘씨엔에스는 삼성전자에 공급되는 CIS 프로브카드용 세라믹 STF를 사용 승인받기 위한 테스트를 진행 중이다. 반도체는 후공정에서 전기적 성능에 문제가 없는지 검사하는 테스트 과정을 거친다. 이 때 반도체 칩과 테스트 장비를 연결하는 장치가 프로브카드다. 프로브카드에 .. 2022. 5. 11.
삼성전자내달 첫주부터 P3 반도체 장비 셋업 시작 삼성전자, 내달 첫주부터 P3 반도체 장비 셋업 시작 5월 첫주부터 낸드플래시 양산 라인 구축 본격화 관련 장비업체들도 2분기부터 매출 인식 전망 삼성전자 평택캠퍼스 조감도 삼성전자가 다음달 초부터 P3 팹에 반도체 장비를 설치할 예정이다. 당초 예상보다 한 달 가량 일정이 늦춰줬다. 삼성전자는 올 하반기 완공을 목표로 7월까지 지속적으로 장비를 반입할 것으로 알려졌다. 19일 업계에 따르면 삼성전자는 평택3공장(P3) 내 낸드플래시 제조장비 반입 및 설치(셋업)를 5월 첫째 주부터 시작할 계획이다. P3는 삼성전자가 2020년 중순 착공에 들어가 올해 하반기 완공할 예정인 신규 반도체 공장이다. 건축허가 면적은 70만㎡로, 단일 공장 기준 세계 최대 규모에 해당한다. 기존 삼성전자의 P2 팹과 비교해도.. 2022. 4. 19.
덕산테코피아 덕산테코피아, HCDS 생산능력 3분기부터 최대 50% 확대 HCDS 제조공장 3동 올해 3분기부터 본격 가동 기존 1·2동+ 3동 합한 캐파 연 800~900억원대 예상 덕산테코피아가 낸드플래시 제조공정에 쓰이는 전구체의 생산능력(CAPA)을 최대 1.5배까지 확대한다. 지난해부터 착공에 들어간 신규 공장을 올 3분기부터 가동할 예정이다. 주요 고객사의 낸드플래시 생산량 증가, 3D 적층기술 발달에 따른 전구체 수요 증가에 발빠르게 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 4일 업계에 따르면 덕산테코피아는 신규 HCDS(헥사클로로디실란) 공장을 올 3분기부터 본격적으로 가동할 계획이다. HCDS는 반도체용 웨이퍼 위에 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiN) 등을 형성하는 데 사용되는 박막증착 전구체.. 2022. 4. 4.
테스 테스, Low-K PECVD 장비 첫 국산화 '눈앞'…상반기 상용화 전망 80~90%까지 개발 완료…상반기 내 상용화 계획 Low-K, 낮은 신호전파 지연으로 층간 절연막 소재로 각광 테스가 국내에서는 처음으로 Low-K(저유전율) 물질 증착장비 상용화를 앞두고 있다. 현재 개발을 80~90% 까지 마친 상황이다. 올 상반기 내로 주요 메모리 제조업체에 공급할 수 있을 것으로 전망된다. 22일 업계에 따르면 테스는 Low-K PECVD(플라즈마 화학 기상 증착) 장비의 개발을 대부분 마무리지었다. Low-K는 반도체 업계에서 가장 보편적으로 활용되는 절연막 소재인 실리콘옥사이드(SiO2) 대비 유전율이 낮은 물질을 뜻한다. 유전율은 동일한 전압에서 전하를 얼마나 더 많이 저장할 수 있는지를 나타내는 척도.. 2022. 3. 22.
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